肖特基二极管（Schottky Diode），也称肖特基势垒二极管，其内部结构相对独特，主要由以下部分组成：

一、主要构成部分

1. • 肖特基二极管的内部结构示意图通常展示为一个五层器件，从下到上依次为：

   • N+阴极层：这是肖特基二极管的最底层，与阴极金属相连，用于减小阴极的接触电阻。

   • N型基片：位于N+阴极层之上，具有较小的通态电阻，是肖特基二极管中电子传输的主要通道。

   • N-外延层：这是N型基片之上的一层，掺杂浓度较低，通常使用砷等杂质进行掺杂。

   • 肖特基势垒层：这是由金属与N-外延层紧密接触后形成的特殊区域。当金属与N型半导体接触时，由于两者的功函数不同，会在接触界面处形成电子势垒，即肖特基势垒。这个势垒阻碍了电子从半导体向金属的流动，同时也限制了反向电流的大小。

   • 阳极金属：这是肖特基二极管的顶层，通常由金、银、铝、钼等贵金属制成。阳极金属与N-外延层之间通过肖特基势垒相连，形成二极管的整流结构。

二、肖特基势垒

通过调整结构参数，在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。这是肖特基二极管工作的关键部分。

三、工作原理

1. 正向偏压：当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小，二极管处于导通状态。

2. 反向偏压：当在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层变宽，其内阻变大，二极管处于截止状态。

四、工艺结构

肖特基二极管主要有两种工艺结构：

1. 点接触结构：用一根尖端细金属丝与半导体接触制成，通过机械接触或用放电工艺得到一个很小的合金结。

2. 平面接触结构：具有更大的接触面积，通常用于需要更高电流容量的应用。

五、特点与应用

肖特基二极管具有正向导通压降小（约0.45V）、反向恢复时间短、开关损耗小等特点，是一种低功耗、超高速半导体器件。然而，其反向耐压值较低，反向漏电流较大，因此适用于低压、大电流、高频整流等场合。