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锐骏低压mos的选型

低压MOSFET快速替代的时候遵循以下5点：

1，匹配封装

2，沟道类型（NMOS、PMOS）

3，电压Vds

4，内阻RDS(on)-----要注意在同样的VGS(TH)测试条件下对比

5，阀值电压VGS(TH)

6，匹配栅极电荷量Qg，或者电容Ciss,Coss,Crss（会影响开关损耗）-----低压MOS对此类参数要求并不高，如果客户应用开关频率较高，需要确认开关速度越快优点是开关损耗越小，效率高，温升低。对应的缺点是EMI特性差，MOSFET关断尖峰过高

以下是MOSFET主要参数：

VDS：漏源电压（VDSS）Drain to Source Voltage DS未发生击穿前所能施加的最大电压。VDS一定要留余量，为了考虑低温时，和恶劣条件下开关机的VDS电压尖峰。

ID：连续电流 Continuous Drain Current 漏源最大单脉冲电流，也称连续电流。条件是在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高，温度下，ID会随温度的升高而降低

VGS 栅漏电压 Gate to Source Voltage 最大GS电压. 指在GS两极间可以放加的最大电压。

VGS(th) 开启电压 Gate threshold voltage 这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压，标记为Vgs(th)，一般N-MOSFET的话，这个电压一般是2-4V之间。

Rds(on) 导通电阻 Drain to source on state resistance 越小越好，直接决定MOSFET的导通损耗，Tj增加Rds(on)增大，即是正温度系数

PD 最大耗散功率 Total power dissipation 越大越好

Tj 最大工作结温 通常为150度和175度

Fm 最高工作频率 最高工作频率,当工作频率超过某一值时，它的单向导电性变差。肖特基的Fm值较高，最大可达100GHz。

Trr 反向恢复时间 当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际一般要延迟一点时间，决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。这个值不一定小就好，要合适。

Qg 栅极总充电电量 Total gate charge

Ciss 输入电容 Input capacitance 输入电容 =Cgs+Cgd ，该参数影响到MOSFET的开关时间，Ciss越大，同样驱动能力下，开通及关断时间就越慢，开关损耗也就越大，这也是在电源电路中要加加速电路的原因，但较慢的开关速度对应的会带来较好的EMI特性

Coss 输出电容 Output capacitance 输入电容 =Cds+Cgd

Crss 反向传输电容 Reverse transfer capacitance 反向传输电容 =Cgd（米勒电容），影响漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能量的大小，会对雷击测试项目有一定影响

Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N40V-N55V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU3560L N N 40 1.5-2.5 50 13 18 　 TO-252
RU4090L N N 40 2-4 90 4 　 　 TO-252
RU4030M2 N N 40 1-2.5 30 11 14 　 DFN3333
RU40120R N N 40 2-4 120 3.5 　 　 TO-220
RU40120M N N 40 2-4 120 2.7 　 　 DFN5060
RU40120S N N 40 2-4 120 3.5 　 　 TO-263
RU40150R N N 40 2-4 150 3 　 　 TO-220
RU40190R N N 40 2-4 190 2.5 　 　 TO-220
RU40191S N N 40 2-4 190 1.8 　 　 TO-263
RU55110R N N 55 2-4 110 5 　 　 TO-220
Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N60V-N68V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
2N7002EB N Y 60 1.35 0.2 2500 2500 　 SOT23
RU60D5H Dual-N Y 60 1-2.5 5.4 32 40 　 SOP-8
RU60E16L N Y 60 1.5-2.7 16 60 75 　 TO-252
RU60E25L N Y 60 1.5-2.7 25 35 42 　 TO-252
RU602B N N 60 2-4 1.5 220 　 　 SOT23
RU60D10H Dual-N N 60 1-3 10 20 22 　 SOP-8
RU6035M3 N N 65 1-2.5 30 18 20 　 DFN3030
RU6050L N N 60 2-4 50 10 　 　 TO-252
RU6055L N N 60 2-4 60 10 　 　 TO-252
RU6888M N N 60 2-4 62 7 DFN5060
RU6070L-A N N 60 2-4 70 6 　 　 TO-252
RU6080L N N 60 2-4 80 7 　 　 TO-252
RU6085H N N 60 1-3 20 6 6.5 　 SOP-8
RU6099R N N 60 2-4 120 6 　 　 TO-220
RU6099S N N 60 2-4 120 6 　 　 TO-263
RU6199S N N 60 2-4 200 2.8 　 　 TO-263
RU6199R N N 60 2-4 200 2.8 　 　 TO-220
RU60200R N N 60 2-4 230 2.5 　 　 TO-220
RU6888R N N 68 2-4 88 6 　 　 TO-220
RU6888S N N 68 2-4 88 6 　 　 TO-263
Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N70V-N85V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU7080L N N 70 2-4 80 5.7 　 　 TO-252
RU7080R N N 70 2-4 80 7 　 　 TO-220
RU7080S N N 70 2-4 80 7 　 　 TO-263
RU7088R N N 70 2-4 80 6.5 　 　 TO-220
RU7570L N N 75 2-4 70 9 　 　 TO-252
RU75N08R N N 75 2-4 80 8 　 　 TO-220
RU75N08S-AR N N 75 2-4 80 8 　 　 TO-263
RU75N08L N N 75 2-4 80 8 　 　 TO-252
RU75110R N N 75 2-4 110 5.5 　 　 TO-220
RU75110S N N 75 2-4 110 5.5 　 　 TO-263
RU75230S N N 75 2-4 230 2.6 　 　 TO-263
RU7588R N N 80 2-4 80 7 　 　 TO-220
RU190N08R N N 80 2-4 190 3.9 　 　 TO-220
RU190N08S N N 80 2-4 190 3.9 　 　 TO-263
RU8590R N N 85 2-4 90 5.8 　 　 TO-220
RU8590S N N 85 2-4 90 5.8 　 　

TO-263

Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N100V-N200V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU1HE12L N Y 100 1.5-2.7 12 145 160 　 TO-252
RU1HE16L N Y 100 1.5-2.7 16 70 85 　 TO-252
RU1H35L N N 100 2-4 40 21 　 　 TO-252
RU1H35S N N 100 2-4 40 21 　 　 TO-263
RU1H35R N N 100 2-4 40 21 　 　 TO-220
RU3710S N N 100 2-4 60 14 　 　 TO-263
RU3710R N N 100 2-4 60 14 　 　 TO-220
RU1H180R N N 100 2-4 180 4.5 　 　 TO-220

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锐骏低压mos的选型

低压MOSFET快速替代的时候遵循以下5点：

1，匹配封装

2，沟道类型（NMOS、PMOS）

3，电压Vds

4，内阻RDS(on)-----要注意在同样的VGS(TH)测试条件下对比

5，阀值电压VGS(TH)

6，匹配栅极电荷量Qg，或者电容Ciss,Coss,Crss（会影响开关损耗）-----低压MOS对此类参数要求并不高，如果客户应用开关频率较高，需要确认开关速度越快优点是开关损耗越小，效率高，温升低。对应的缺点是EMI特性差，MOSFET关断尖峰过高

以下是MOSFET主要参数：

VDS：漏源电压（VDSS）Drain to Source Voltage DS未发生击穿前所能施加的最大电压。VDS一定要留余量，为了考虑低温时，和恶劣条件下开关机的VDS电压尖峰。

ID：连续电流 Continuous Drain Current 漏源最大单脉冲电流，也称连续电流。条件是在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高，温度下，ID会随温度的升高而降低

VGS 栅漏电压 Gate to Source Voltage 最大GS电压. 指在GS两极间可以放加的最大电压。

VGS(th) 开启电压 Gate threshold voltage 这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压，标记为Vgs(th)，一般N-MOSFET的话，这个电压一般是2-4V之间。

Rds(on) 导通电阻 Drain to source on state resistance 越小越好，直接决定MOSFET的导通损耗，Tj增加Rds(on)增大，即是正温度系数

PD 最大耗散功率 Total power dissipation 越大越好

Tj 最大工作结温 通常为150度和175度

Fm 最高工作频率 最高工作频率,当工作频率超过某一值时，它的单向导电性变差。肖特基的Fm值较高，最大可达100GHz。

Trr 反向恢复时间 当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际一般要延迟一点时间，决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。这个值不一定小就好，要合适。

Qg 栅极总充电电量 Total gate charge

Ciss 输入电容 Input capacitance 输入电容 =Cgs+Cgd ，该参数影响到MOSFET的开关时间，Ciss越大，同样驱动能力下，开通及关断时间就越慢，开关损耗也就越大，这也是在电源电路中要加加速电路的原因，但较慢的开关速度对应的会带来较好的EMI特性

Coss 输出电容 Output capacitance 输入电容 =Cds+Cgd

Crss 反向传输电容 Reverse transfer capacitance 反向传输电容 =Cgd（米勒电容），影响漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能量的大小，会对雷击测试项目有一定影响

Trench MOSFET
P-MOSFET Catalog
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
-10V -4.5V -2.5V
RU3415EB P Y -20 -1--0.4 -4 　 38 50 SOT23
RU20P7C P N -20 -1.1--0.4 -5 　 20 30 SOT23-3
RU20P7C6 P N -20 -1.1--0.4 -5 　 20 30 SOT23-6
RU20P17M2 P N -20 -1.1--0.4 -9.3 　 16 28 DFN3333
RU20P3B P N -20 -1--0.5 -3 　 80 110 SOT23
Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N40V-N55V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU3560L N N 40 1.5-2.5 50 13 18 　 TO-252
RU4090L N N 40 2-4 90 4 　 　 TO-252
RU4030M2 N N 40 1-2.5 30 11 14 　 DFN3333
RU40120R N N 40 2-4 120 3.5 　 　 TO-220
RU40120M N N 40 2-4 120 2.7 　 　 DFN5060
RU40120S N N 40 2-4 120 3.5 　 　 TO-263
RU40150R N N 40 2-4 150 3 　 　 TO-220
RU40190R N N 40 2-4 190 2.5 　 　 TO-220
RU40191S N N 40 2-4 190 1.8 　 　 TO-263
RU55110R N N 55 2-4 110 5 　 　 TO-220
Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N60V-N68V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
2N7002EB N Y 60 1.35 0.2 2500 2500 　 SOT23
RU60D5H Dual-N Y 60 1-2.5 5.4 32 40 　 SOP-8
RU60E16L N Y 60 1.5-2.7 16 60 75 　 TO-252
RU60E25L N Y 60 1.5-2.7 25 35 42 　 TO-252
RU602B N N 60 2-4 1.5 220 　 　 SOT23
RU60D10H Dual-N N 60 1-3 10 20 22 　 SOP-8
RU6035M3 N N 65 1-2.5 30 18 20 　 DFN3030
RU6050L N N 60 2-4 50 10 　 　 TO-252
RU6055L N N 60 2-4 60 10 　 　 TO-252
RU6888M N N 60 2-4 62 7 DFN5060
RU6070L-A N N 60 2-4 70 6 　 　 TO-252
RU6080L N N 60 2-4 80 7 　 　 TO-252
RU6085H N N 60 1-3 20 6 6.5 　 SOP-8
RU6099R N N 60 2-4 120 6 　 　 TO-220
RU6099S N N 60 2-4 120 6 　 　 TO-263
RU6199S N N 60 2-4 200 2.8 　 　 TO-263
RU6199R N N 60 2-4 200 2.8 　 　 TO-220
RU60200R N N 60 2-4 230 2.5 　 　 TO-220
RU6888R N N 68 2-4 88 6 　 　 TO-220
RU6888S N N 68 2-4 88 6 　 　 TO-263
Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N70V-N85V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU7080L N N 70 2-4 80 5.7 　 　 TO-252
RU7080R N N 70 2-4 80 7 　 　 TO-220
RU7080S N N 70 2-4 80 7 　 　 TO-263
RU7088R N N 70 2-4 80 6.5 　 　 TO-220
RU7570L N N 75 2-4 70 9 　 　 TO-252
RU75N08R N N 75 2-4 80 8 　 　 TO-220
RU75N08S-AR N N 75 2-4 80 8 　 　 TO-263
RU75N08L N N 75 2-4 80 8 　 　 TO-252
RU75110R N N 75 2-4 110 5.5 　 　 TO-220
RU75110S N N 75 2-4 110 5.5 　 　 TO-263
RU75230S N N 75 2-4 230 2.6 　 　 TO-263
RU7588R N N 80 2-4 80 7 　 　 TO-220
RU190N08R N N 80 2-4 190 3.9 　 　 TO-220
RU190N08S N N 80 2-4 190 3.9 　 　 TO-263
RU8590R N N 85 2-4 90 5.8 　 　 TO-220
RU8590S N N 85 2-4 90 5.8 　 　

TO-263

Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N100V-N200V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU1HE12L N Y 100 1.5-2.7 12 145 160 　 TO-252
RU1HE16L N Y 100 1.5-2.7 16 70 85 　 TO-252
RU1H35L N N 100 2-4 40 21 　 　 TO-252
RU1H35S N N 100 2-4 40 21 　 　 TO-263
RU1H35R N N 100 2-4 40 21 　 　 TO-220
RU3710S N N 100 2-4 60 14 　 　 TO-263
RU3710R N N 100 2-4 60 14 　 　 TO-220
RU1H180R N N 100 2-4 180 4.5 　 　 TO-220

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Fax: +86-769-21665256

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RU20P7C P N -20 -1.1--0.4 -5 　 20 30 SOT23-3
RU20P7C6 P N -20 -1.1--0.4 -5 　 20 30 SOT23-6
RU20P17M2 P N -20 -1.1--0.4 -9.3 　 16 28 DFN3333
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