目前MOS工艺主要分为三类：Trench MOSFET / High-Performance-Advanced Trench MOSFET / Super Junction MOSFET

1 Trench MOSFET： 沟槽工艺，具有导通电阻小，寄生电容小，开关速度快等优点。

2 High-Performance-Advanced Trench MOSFET： SGT工艺，是屏蔽沟槽工艺，屏蔽深沟槽工艺，这个是基于传统沟槽式 MOSFET（U-MOSFET）的一种改进型的沟槽式功率 MOSFET。相比于传统 U-MOSFET 功率器件，它的开关速度更快，开关损耗更低，具有更好的器件性能。

3 Super-Junction MOSFET：超结MOSFET，具有更低的通态阻抗，更低的传导损耗，更低的开启电压，更快的开关速度，更低的栅极电荷Qg等。它的缺点，在开关电源系统应用会出现EMI可能超标；栅极震荡；抗浪涌及耐压能力差；漏源极电压尖峰比较大等等。