MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

1.根据控制方式选择使用Pmos或Nmos.

2.在选型时我们最先看的是VDSS最大漏-源电压 能够承受的最高的 施加电压 这个电压也决定了每次在电路里面选择它施加的电压等级，也就是我们常说的VDSS等级 。从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20V的MOS管，FPGA电源为20～30V的MOS管，85～220V AC因为整流后是310V,再加上反向电压，MOS管VDS应选为450～700V。

如下图：

2.连续漏电流 这个电流定义在一个额定的结温 下 它连续能够通过的最大 直流电流 这两个参数就决定了 MOS管的应用场合 所以现在的MOS管的话 我们参数基本上看 连续的漏电流 以及最大的漏源电压。

3.mos的结电容。这个直接决定你芯片的输出损耗，如果输入过大，芯片可能会发热严重。