肖特基二极管是以其发明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基势垒管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。那么下来带大家了解一下肖特基二极管的原理。
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用两者接触面上形成的势垒具有整流器特性而做成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有少量的自由电荷，所以电子便从浓度值高的B中向浓度值低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不会有空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度值慢慢降低，表面电中性被破坏，因此就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用下，A中的电子也会产生从A→B的飘移运动，进而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当创建起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度值不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的內部电源电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料做成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来清除边沿区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度值较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻
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