碳化硅二极管是一种适用于功率半导体的革命性材料，其物理属性远远优于硅功率器件。重要特点包含榜样性的电源开关特性、沒有反向恢复电流量、溫度基本上不容易危害电源开关个人行为和规范操作温度范畴为-55℃至175℃。碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）的器件选用了断势垒肖特基二极管构造（JBS），能够合理减少反方向泄露电流，具有更强的耐髙压工作能力。
碳化硅二极管是一种单极型器件，因而对比于传统式的硅快修复二极管（SiFRD），碳化硅二极管具备理想化的反向恢复特点。在器件从正指导通往反方向阻隔变换时，基本上沒有反向恢复电，反向恢复時间低于20ns，乃至600V10A的碳化硅二极管的反向恢复時间在10ns之内。因而碳化硅二极管能够工作中在高些的頻率，在同样頻率下具备高些的高效率。另一个关键的特性是碳化硅二极管具备正的温度系数，伴随着溫度的升高电阻器也慢慢升高，这与硅FRD恰好反过来。这促使碳化硅二极管特别适合串联好用，提升了系统软件的安全系数和可信性。
碳化硅二极管是髙压迅速与低输出功率耗损、耐热紧密结合的理想化器件。现阶段国际性上陆续研制水准较高的多类型的碳化硅器件。SICSBD做为零修复二极管，对高频率输出功率电源电路有非常大改进。碳化硅二极管与众不同的高溫特点使其在高溫自然环境的输出功率运用中具备潜在性优点。碳化硅二极管因髙速trr而使开关损耗减少，加上VF的改进，在输出功率二极管中能够说成耗损最少的二极管。碳化硅二极管因VF减少，而完成更低通断耗损。顺向特点数据图表的鲜红色波型是第一代SiC-SBD，深蓝色是第二代，可确定VF的减少。
碳化硅二极管的各类性能指标均优于一般双极二极管技术性。碳化硅二极管通断与关闭情况的变换速率十分快，并且沒有一般双极二极管技术性电源开关时的反向恢复电流量。在清除反向恢复电流量效用后，碳化硅二极管的耗能减少70%，可以在宽温度范围内维持高能耗等级，并提升设计方案工作人员优化软件输出功率的协调能力。
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