碳化硅二极管是适用于功率半导体的革命性材料，其物理性能远远优于硅功率器件。关键特性包括基准开关性能、无反向恢复电流、温度对开关行为几乎没有影响以及标准工作温度范围为-55℃至175℃。碳化硅二极管采用结势垒肖特基二极管结构(JBS)，可有效降低反向漏电流，具有较好的耐高压性能。

　　碳化硅二极管均优于普通双极二极管技术。碳化硅二极管在开和关状态之间的切换速度非常快，并且在普通双极二极管技术切换时没有反向恢复电流。消除反向恢复电流效应后，碳化硅二极管的能耗降低了70%，可以在较宽的温度范围内保持较高的能效，提高了设计人员优化系统工作频率的灵活性。