碳化硅早在1842年就被发觉了，但因其制取时的加工工艺难度系数大，而且元器件的产出率低，造成了价钱较高，这危害了它的运用。直至1955年，生长发育高质量碳化硅的方式出現推动了
碳化硅二极管原材料的发展趋势，在航空航天、航空公司、雷达探测和核能发电开发设计的行业获得运用。80年代，产品化生产制造的SiC进到销售市场，并运用于原油地暖的勘查、变频空调的开发设计、平板电视机的运用及其太阳能发电转换的行业。
碳化硅二极管的出現极大地改进了集成电路工艺的特性，考虑社会经济和国防建设的必须，现阶段，英国、法国、德国、日本国等资本主义国家正争相资金投入重金对碳化硅原材料和元器件开展科学研究。美国防部从二十世纪90年代就刚开始适用碳化硅电力电子器件的科学研究，在1991年就取得成功科学研究出了阻隔工作电压为400V的肖特基二极管。
碳化硅二极管于二十一世纪初变成第一例社会化的碳化硅电力工程电子元器件。英国Semisouth企业研发的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作中）早已用在英国皇家空军多电飞机场。由碳化硅SBD组成的功率模块可在高溫、髙压、强辐射源等极端标准下应用。现阶段反方向阻隔工作电压达到1200V的产品系列，其额定电压可做到20A。碳化硅SBD的产品研发早已做到髙压元器件的水准，其阻隔工作电压超出10000V，大电流量元器件通态电流量达130A的水准。
碳化硅二极管的击穿场强很高，电源开关速率迅速，净重很轻，而且容积不大，它在3KV之上的镇流器主要用途更为具备优点。2001年Cree企业研发出19.5KV的橱柜台面PiN二极管，同一阶段日本国的Sugawara调研室也科学研究出了12KV的橱柜台面PiN二极管。2006年Cree企业报导了10KV、3.75V、50A的SiCPiN二极管，其10KV/20APiN二极管系列产品的达标率早已做到40%。
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