产品介绍扬杰科技推出一系列TO-247和TOLL N600V/650V SJ MOSFET，产品采用深沟槽技术与多层外延技术制造，具有较低的导通电阻Rds和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，可以支持更高频率与动态响应,非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。产品特点
1.采用深沟槽与多层外延技术, MOS的内阻低，开关特性优；
2.采用TOLL封装、TO-247封装，适用于大功率应用；
3.UIS能力强, Qg与Rds参数更优，可以支持更高频率与动态响应
型号
YJN48C60HJ JYJT33C60HJ
产品介绍扬杰科技推出一系列TO-247和TOLL N600V/650V SJ MOSFET，产品采用深沟槽技术与多层外延技术制造，具有较低的导通电阻Rds和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，可以支持更高频率与动态响应,非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。产品特点
1.采用深沟槽与多层外延技术, MOS的内阻低，开关特性优；
2.采用TOLL封装、TO-247封装，适用于大功率应用；
3.UIS能力强, Qg与Rds参数更优，可以支持更高频率与动态响应
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YJN48C60HJ JYJT33C60HJ
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经营产品：碳化硅器件、IGBT单管、IGBT模块、肖特基/整流桥堆、低压MOS、超结MOS管
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