IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),中文名为绝缘栅双极型晶体管,是一种结合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极型晶体管(BJT)特性的高压、高功率电子器件。它具备MOSFET的高输入阻抗和BJT的低饱和压降两方面的优点,因此在高功率应用中具有更好的开关性能和更低的功率损耗。IGBT主要由发射区(P+)、集电区(N-)、漂移区(N+)和栅极区(P)四个主要区域组成,这些区域共同构成了一个PNPN的叠层结构。
IGBT的主要特点包括:
高电流密度:IGBT的电流密度远大于MOSFET,使其在高功率应用中具有出色的性能。
高输入阻抗与低驱动功率:IGBT的输入阻抗高,栅驱动功率极小,这意味着驱动电路可以设计得相对简单,降低了系统的复杂性。
低导通电阻:在给定尺寸和条件下,IGBT的导通电阻相对较小,有助于减少功率损耗。
高击穿电压与宽安全工作区:IGBT的击穿电压高,安全工作区大,保证了系统的稳定性。
快速开关特性:IGBT的开关速度快,关断时间短,提高了系统的效率。
美瑞电子销售或提供与IGBT相关的产品和技术支持。这些产品包括:
IGBT芯片:作为IGBT的基本单元,具有特定的电气性能和应用特性。
IGBT模块:将多个IGBT芯片和其他相关元件(如快速恢复二极管FRD)集成在一个模块中,以满足高功率和高集成度的应用需求。
智能功率模块(IPM):一种高度集成的功率电子系统,其中包含IGBT、驱动电路和保护电路等,为电力电子设备提供完整的功率转换和控制解决方案。
IGBT因其优异的性能被广泛应用于多个领域,包括:
新能源:如光伏、风电设备中的整流器和逆变器。
电动汽车:作为电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件,用于电动控制系统和车载空调控制系统。
轨道交通:作为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。
智能电网:在发电、输电、变电及用电端都有广泛应用。
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