在20W到2000W的电源设计中，不同功率等级适合使用不同的拓扑结构。随着功率的增大，拓扑结构的选择会越来越倾向于效率更高、开关器件更强的方案。拓扑选择需要考虑功率等级、效率要求、成本、以及应用场景中的电压和电..
2024-09-26不同的电源拓扑结构会使用不同的功率器件来满足各自的电气特性、工作效率和功率需求。下面按照主要的电源拓扑结构，介绍常见的功率器件选择。
2024-09-26工业电源，消费类电源不同拓扑结构有各自的优势和缺点，适合的场景也各有不同，设计时需要根据实际的应用需求、功率等级和成本等因素来选择合适的拓扑。
2024-09-26在OBC的拓扑结构中，IGBT主要用于PFC电路和DC-DC转换电路，IGBT在车载OBC产品中的核心作用是实现高效的电能转换，提升功率密度，并在高压高频工作环境下保持高可靠性。
2024-09-26碳化硅内绝缘封装结构是通过多层绝缘、导热、和保护结构的集成，确保SiC器件在高压、高温、高功率条件下稳定运行。通过选择合适的材料和封装设计，可以最大程度地发挥碳化硅的高性能优势，使其广泛应用于电动汽车、工业电力..
2024-09-24中国大陆的超结MOSFET市场有多家厂商参与，各品牌在技术能力、产品应用领域和市场定位上各具特色。华润微、士兰微等品牌在国内市场具备广泛的影响力，具有成熟的产品线，而扬杰科技、闻泰科技等在特定应用领域也有其独特..
2024-09-24碳化硅二极管的制备方法，SiC二极管具有高耐压、低导通损耗、高温稳定性等优点，广泛应用于电力电子器件中。其制备过程主要涉及碳化硅材料的生长、掺杂、图形化工艺、金属化等步骤。
2024-09-24IGBT工作原理介绍-将MOSFET和BJT的优点结合在一起，在高效能电力电子应用中实现了高电流开关和低损耗操作。
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