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HCS65R210S是一款650V N通道超级结MOSFET，具有以下特点：
认证：符合RoHS指令、CE、ISO、CCC标准。
制造商：semihow，代理销售：东莞美瑞电子有限公司，成立于2013年，专注于半导体分立器件的销售和技术服务。
最大漏极电压：650V。
额定栅源电压：±20V。
极低导通电阻（FOM）：RDS(ON) × Qg值非常低，这意味着在导通状态下具有非常低的能量损耗。
低开关损失：在开关操作时能量损耗较小，提高了能效。
优异的稳定性和均一性：确保长时间稳定工作，且性能一致性良好。
100%的雪崩测试：通过了严格的雪崩测试，增强了器件的安全性。
内置ESD二极管：内置的ESD二极管可以有效保护电路免受静电放电的影响。
HCS65R210S因其出色的性能，被广泛应用于以下领域：
LED驱动电源
医疗电源
HCS65R210S是一款650V N通道超级结MOSFET，具有以下特点：
认证：符合RoHS指令、CE、ISO、CCC标准。
制造商：semihow，代理销售：东莞美瑞电子有限公司，成立于2013年，专注于半导体分立器件的销售和技术服务。
最大漏极电压：650V。
额定栅源电压：±20V。
极低导通电阻（FOM）：RDS(ON) × Qg值非常低，这意味着在导通状态下具有非常低的能量损耗。
低开关损失：在开关操作时能量损耗较小，提高了能效。
优异的稳定性和均一性：确保长时间稳定工作，且性能一致性良好。
100%的雪崩测试：通过了严格的雪崩测试，增强了器件的安全性。
内置ESD二极管：内置的ESD二极管可以有效保护电路免受静电放电的影响。
HCS65R210S因其出色的性能，被广泛应用于以下领域：
LED驱动电源
医疗电源
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
网址：www.merryelc.com
总部地址:广东省东莞市万江街道华尔泰路2号五盈科技园5栋3楼
经营产品：碳化硅器件、IGBT单管、IGBT模块、肖特基/整流桥堆、低压MOS、超结MOS管
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