HCS65R380S MOSFET参数详解

基本信息

HCS65R380S是一款超结高压MOSFET，由Semihow公司生产。Semihow拥有超过10年在三星功率半导体工作的研发团队，具备强大的技术研发实力。该产品主要用于600V~900V的电压系列，具有多种封装形式，如TO-220、TO-220F、DPAK、IPAK等。

主要参数

电压特性

• 最大漏极-源极电压（VDS）：650V

• 栅极-源极电压（VGS）：最小导通电压2V，最大导通电压4V

电气特性

• 最大漏极电流（ID）：10.4A @ 25℃

• 导通电阻（RDS(ON)）：最大0.38Ω @ VGS=10V

• 栅极电荷（Qg）：22.6nC

• 漏极-源极电容（Cds）：133pF

封装信息

• 封装形式：TO-220FS

工作原理

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种电压控制元件。它利用金属层（栅极）隔着氧化层（绝缘层）和半导体（源极和漏极）之间的电场效应来控制电流的流动。MOSFET具有高开关速度、低噪声、高抗辐射能力等优点，同时体积小、重量轻、耗电省、寿命长。

应用领域

HCS65R380S因其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于电力电子领域，特别是在需要高效能和高可靠性的电源管理电路中。其高压特性使其成为开关电源、电机控制等应用的理想选择。

注意事项

在使用HCS65R380S时，需要注意其散热问题，因为高功率操作会产生大量热量。建议采用合适的散热解决方案，如安装散热器或使用风扇辅助散热。

综上所述，HCS65R380S是一款性能优异的超结高压MOSFET，适用于多种高性能电力电子设备。在选择和使用时，应充分考虑其电气参数和应用需求，以确保系统的稳定运行和长期可靠性。