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绿星MOS DG100N02Q DFN5*6

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产品详情

采用第三代DG-FET制程，DG-FET系列具有高速开关速度，业界优异的Ron-Crss表现。
由于具有缓冲效应，DG-FET系列可以抑制，比SuperTrench系列更有效地切换噪音和振铃。
RDS（on）导通电阻比其他同类元件至少降低50%，闸电荷（Qg）比其他装置少50%
20V至250V规格，可在各式电源与电机驱动中实现更高效率。11.jpg22.png
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绿星MOS DG100N02Q DFN5*6

名称：绿星MOS DG100N02Q DFN5*6

    silicongear使用第三代DG-FET工艺，DG-FET系列具有高速开笑速度，业界杰出的Ron-Crss性能。 绿星电子致力于通过不断开发新电源半导体技术,产品和创新解决方案,为客户提供卓越的设计,制造和响应能力。我们通过满足其产品特定需求,为客户带来受益的产品。

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采用第三代DG-FET制程，DG-FET系列具有高速开关速度，业界优异的Ron-Crss表现。
由于具有缓冲效应，DG-FET系列可以抑制，比SuperTrench系列更有效地切换噪音和振铃。
RDS（on）导通电阻比其他同类元件至少降低50%，闸电荷（Qg）比其他装置少50%
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