绿星MOS DG100N02PB TO-220AB
silicongear使用第三代DG-FET工艺,DG-FET系列具有高速开笑速度,业界杰出的Ron-Crss性能。
绿星电子致力于通过不断开发新电源半导体技术,产品和创新解决方案,为客户提供卓越的设计,制造和响应能力。我们通过满足其产品特定需求,为客户带来受益的产品。
绿星DG100N02PB使用第三代DG-FET工艺,DG-FET系列具有高速开笑速度,业界杰出的Ron-Crss性能。绿星电子致力于通过不断开发新电源半导体技术,产品和创新解决方案,为客户提供卓越的设计,制造和响应能力。
咨询张工
咨询曾工
咨询陈工
贸易接待
返回顶部