60V低压MOS 绿星DG60N12I
颠覆业界传统的低压MOS制程,大幅降低RDS内阻切换损失。
台湾绿星低压MOS产品融入DG-FET深沟槽创新技术,将内阻值死磕到底,肉眼可见的出类拔萃。
美瑞电子致力于推动品质专线迈入普惠时代,带入千行百业。
60V低压MOS绿星DG60N12I颠覆业界传统的低压MOS制程,大幅降低RDS内阻切换损失。台湾绿星低压MOS产品融入DG-FET深沟槽创新技术,将内阻值死磕到底,肉眼可见的出类拔萃。美瑞电子致力于推动品质专线迈入普惠时代,带入千行百业。
咨询张工
咨询曾工
咨询陈工
贸易接待
返回顶部