120V低内阻MOS 绿星DG120N01S
颠覆业界传统的低压MOS制程,大幅降低RDS内阻切换损失。
台湾绿星低压MOS产品融入DG-FET深沟槽创新技术,将内阻值死磕到底,肉眼可见的出类拔萃。
美瑞电子致力于推动品质专线迈入普惠时代,带入千行百业。
120V低内阻MOS绿星DG120N01S颠覆业界传统的低压MOS制程,大幅降低RDS内阻切换损失。台湾绿星低压MOS产品融入DG-FET深沟槽创新技术,将内阻值死磕到底,肉眼可见的出类拔萃。美瑞电子致力于推动品质专线迈入普惠时代,带入千行百业。
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