30V低压MOS 绿星SG30N04E DFN3*3
颠覆业界传统的低压MOS制程，大幅降低RDS内阻切换损失。
台湾绿星低压MOS产品融入DG-FET深沟槽创新技术，将内阻值死磕到底，肉眼可见的出类拔萃。
美瑞电子致力于推动品质专线迈入普惠时代，带入千行百业。
30V低压MOS 绿星SG30N04E DFN3*3
颠覆业界传统的低压MOS制程，大幅降低RDS内阻切换损失。
台湾绿星低压MOS产品融入DG-FET深沟槽创新技术，将内阻值死磕到底，肉眼可见的出类拔萃。
美瑞电子致力于推动品质专线迈入普惠时代，带入千行百业。
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
网址：www.merryelc.com
总部地址:广东省东莞市万江街道华尔泰路2号五盈科技园5栋3楼
经营产品：碳化硅器件、IGBT单管、IGBT模块、肖特基/整流桥堆、低压MOS、超结MOS管
版权所有：Copyright © 2019 东莞市美瑞电子有限公司 粤ICP备19137317号版权所有 模仿必究
