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维安P沟道低压MOS选型表

维安P沟道低压MOS选型表

产品详情

Part No. Package Configuration Type ESDVDSVgs MaxID at 25℃VGS(th)Rds(on)CissCossCrss
Typ.Vgs=10VVgs=4.5V
V V A(Max.) V mΩ(Max.) mΩ(Max.) pF(Typ.) pF(Typ.) pF(Typ.)
12V-100V Trench P Channel Power MOSFET 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
WM01P75R DFN2*2-6L Single P NO -12 ±8 -7.5 -0.7 / 26 1260 400 350
WM02P160R DFN2*2-6L Single P NO -20 ±10 -16 -0.6 / 17 2895 303 280
WMQ55P02T1 PDFN3*3-8L Single P NO -20 ±10 -55 -0.65 / 8.2 4550 542 505
WMS15P02T1 SOP-8L Single P NO -20 ±10 -15 -0.65 / 8.2 3138 602 565
WMR12P02T1 DFN2*2-6L Single P NO -20 ±10 -12 -0.65 / 22 1555 189 166
WMB60P03T1 PDFN5*6-8L Single P NO -30 ±20 -60 -1.6 8.8 14 4320 529 487
WMS16P03T1 SOP-8L Single P NO -30 ±20 -16 -1.6 8.8 13 4180 525 430
WMQ55P03T1 PDFN3*3-8L Single P NO -30 ±20 -50 -1.5 9 14 3958 440 341
WMB60P03TA PDFN5*6-8L Single P NO -30 ±20 -60 -1.6 9 14 3100 433 350
WMQ50P03T1 PDFN3*3-8L Single P NO -30 ±20 -50 -1.5 9 14 3958 440 341
WMS14P03T1 SOP-8L Single P NO -30 ±20 -14 -1.5 9.2 14 3758 445 325
WMQ42P03T1 PDFN3*3-8L Single P NO -30 ±20 -42 -1.5 14 22 2500 280 220
WMO50P03T1 TO-252 Single P NO -30 ±20 -50 -1.7 14 22 2697 340 308
WMS12P03T1 SOP-8L Single P NO -30 ±20 -11.5 -1.5 15 25 2335 280 219
WM03P115R DFN2*2-6L Single P NO -30 ±20 -11.5 -1.6 24 34 1410 180 153
WMQ30P03T1 PDFN3*3-8L Single P NO -30 ±20 -30 -1.5 24 35 1405 177 147
WMS08P03T1 SOP-8L Single P NO -30 ±20 -8 -1.5 28 38 1211 155 139
WMQ25P03T1 PDFN3*3-8L Single P NO -30 ±20 -25 -1.5 28 38 1211 155 139
WMQ30P04T1 PDFN3*3-8L Single P NO -40 ±20 -30 -1.6 13 20 3597 316 249
WMS13P04T1 SOP-8L Single P NO -40 ±20 -13 -1.6 13 20 3430 292 225
WMO50P04T1 TO-252 Single P NO -40 ±20 -50 -1.6 13 20 3320 290 225
WMS11P04T1 SOP-8L Single P NO -40 ±20 -11 -1.5 20 25 1822 183 158
WMO35P04T1 TO-252 Single P NO -40 ±20 -32 -1.5 20 25 1822 183 158
WMB35P04T1 PDFN5*6-8L Single P NO -40 ±20 -35 -1.5 20 25 1822 183 158
WMQ25P04T1 PDFN3*3-8L Single P NO -40 ±20 -25 -1.5 20 25 1822 183 158
WMS06P04T1 SOP-8L Single P NO -40 ±20 -6 -1.5 44 58 878 86 70
WMO20P04T1 TO-252 Single P NO -40 ±20 -25 -1.5 44 58 878 86 70
WMO18P04T1 TO-252 Single P NO -40 ±20 -18 -1.6 50 60 780 77 65
WMQ25P06T1 PDFN3*3-8L Single P NO -60 ±20 25 -1.6 28 35 3135 200 121
WMO35P06T1 TO-252 Single P NO -60 ±20 -35 -1.5 28 35 3135 200 121
WMO25P06T1 TO-252 Single P NO -60 ±20 -25 -1.7 40 55 1735 122 78
WMS05P06T1 SOP-8L Single P NO -60 ±20 -4.5 -1.6 90 128 1015 50 35
WMO13P06T1 TO-252 Single P NO -60 ±20 -13 -1.6 90 128 1015 50 35
WMQ12P10T1 PDFN3*3-8L Single P NO -100 ±20 -12 -1.7 100 120 3010 86 60
WMS05P10T1 SOP-8L Single P NO -100 ±20 -5 -1.7 100 120 1093 113 8
WMO18P10T1 TO-252 Single P NO -100 ±20 -18 -1.7 110 120 1080 112 9

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维安P沟道低压MOS选型表

名称：维安P沟道低压MOS选型表

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Part No. Package Configuration Type ESDVDSVgs MaxID at 25℃VGS(th)Rds(on)CissCossCrss
Typ.Vgs=10VVgs=4.5V
V V A(Max.) V mΩ(Max.) mΩ(Max.) pF(Typ.) pF(Typ.) pF(Typ.)
12V-100V Trench P Channel Power MOSFET 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
WM01P75R DFN2*2-6L Single P NO -12 ±8 -7.5 -0.7 / 26 1260 400 350
WM02P160R DFN2*2-6L Single P NO -20 ±10 -16 -0.6 / 17 2895 303 280
WMQ55P02T1 PDFN3*3-8L Single P NO -20 ±10 -55 -0.65 / 8.2 4550 542 505
WMS15P02T1 SOP-8L Single P NO -20 ±10 -15 -0.65 / 8.2 3138 602 565
WMR12P02T1 DFN2*2-6L Single P NO -20 ±10 -12 -0.65 / 22 1555 189 166
WMB60P03T1 PDFN5*6-8L Single P NO -30 ±20 -60 -1.6 8.8 14 4320 529 487
WMS16P03T1 SOP-8L Single P NO -30 ±20 -16 -1.6 8.8 13 4180 525 430
WMQ55P03T1 PDFN3*3-8L Single P NO -30 ±20 -50 -1.5 9 14 3958 440 341
WMB60P03TA PDFN5*6-8L Single P NO -30 ±20 -60 -1.6 9 14 3100 433 350
WMQ50P03T1 PDFN3*3-8L Single P NO -30 ±20 -50 -1.5 9 14 3958 440 341
WMS14P03T1 SOP-8L Single P NO -30 ±20 -14 -1.5 9.2 14 3758 445 325
WMQ42P03T1 PDFN3*3-8L Single P NO -30 ±20 -42 -1.5 14 22 2500 280 220
WMO50P03T1 TO-252 Single P NO -30 ±20 -50 -1.7 14 22 2697 340 308
WMS12P03T1 SOP-8L Single P NO -30 ±20 -11.5 -1.5 15 25 2335 280 219
WM03P115R DFN2*2-6L Single P NO -30 ±20 -11.5 -1.6 24 34 1410 180 153
WMQ30P03T1 PDFN3*3-8L Single P NO -30 ±20 -30 -1.5 24 35 1405 177 147
WMS08P03T1 SOP-8L Single P NO -30 ±20 -8 -1.5 28 38 1211 155 139
WMQ25P03T1 PDFN3*3-8L Single P NO -30 ±20 -25 -1.5 28 38 1211 155 139
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WMS13P04T1 SOP-8L Single P NO -40 ±20 -13 -1.6 13 20 3430 292 225
WMO50P04T1 TO-252 Single P NO -40 ±20 -50 -1.6 13 20 3320 290 225
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WMB35P04T1 PDFN5*6-8L Single P NO -40 ±20 -35 -1.5 20 25 1822 183 158
WMQ25P04T1 PDFN3*3-8L Single P NO -40 ±20 -25 -1.5 20 25 1822 183 158
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WMO25P06T1 TO-252 Single P NO -60 ±20 -25 -1.7 40 55 1735 122 78
WMS05P06T1 SOP-8L Single P NO -60 ±20 -4.5 -1.6 90 128 1015 50 35
WMO13P06T1 TO-252 Single P NO -60 ±20 -13 -1.6 90 128 1015 50 35
WMQ12P10T1 PDFN3*3-8L Single P NO -100 ±20 -12 -1.7 100 120 3010 86 60
WMS05P10T1 SOP-8L Single P NO -100 ±20 -5 -1.7 100 120 1093 113 8
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台湾统懋 | MOSPEC 扬杰 | YJ 矽润 | X-SEMI

Tel: +86-769-21665206

Fax: +86-769-21665256

网址：www.merryelc.com

总部地址:广东省东莞市万江街道华尔泰路2号五盈科技园5栋3楼

经营产品：碳化硅器件、IGBT单管、IGBT模块、肖特基/整流桥堆、低压MOS、超结MOS管

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