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| 料号 | 封装 | 结构 | 反向重复电压 | 正向平均电流 | 正向不重复峰值电流 | 结到管壳的热阻 | 总存储电荷 | 耗散功率 | 正向压降VF（V） | ||||||
| IF(A) | Ifsm(A) | RTH-JC（℃/W） | Qc(nC) | Ptot(W) | Tj=25℃ | Tj=175℃ | |||||||||
| ID | Package | Config. | Vrrm(V) | Tc=160℃ | Tc=125℃ | Tc=25℃ | Tc=25℃ | typ | TJ=25℃ | Tc=25℃ | Tc=110℃ | typ | max | typ | max |
| G3S12010C | TO-252 | 单芯 | 1200 | 10 | 17.4 | 32.4 | 140 | 0.84 | 54.4（VR=800V） | 188 | 81 | 1.55 | 1.7 | 2.35 | 2.6 |
| 料号 | 封装 | 结构 | 反向重复电压 | 正向平均电流 | 正向不重复峰值电流 | 结到管壳的热阻 | 总存储电荷 | 耗散功率 | 正向压降VF（V） | ||||||
| IF(A) | Ifsm(A) | RTH-JC（℃/W） | Qc(nC) | Ptot(W) | Tj=25℃ | Tj=175℃ | |||||||||
| ID | Package | Config. | Vrrm(V) | Tc=160℃ | Tc=125℃ | Tc=25℃ | Tc=25℃ | typ | TJ=25℃ | Tc=25℃ | Tc=110℃ | typ | max | typ | max |
| G3S12010C | TO-252 | 单芯 | 1200 | 10 | 17.4 | 32.4 | 140 | 0.84 | 54.4（VR=800V） | 188 | 81 | 1.55 | 1.7 | 2.35 | 2.6 |
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
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经营产品：碳化硅器件、IGBT单管、IGBT模块、肖特基/整流桥堆、低压MOS、超结MOS管
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